實際上
富士IGBT-PIM模塊，二者的關鍵之處都是功率模塊，IPM可以視為PIM中的特殊類型。從外觀上看，IPM除了引腳多—些以外，與PIM沒有什么明顯不同，二者的不同在于內部的電路構成。PIM一般是指包含整流與DB(有源制動開關)的6in1模塊，總體上是一個7in1模塊。對于富士IGBT-PIM模塊而言，其基本組成是包含6單元的IGBT三相全橋和相應的FWD、DB(1單元IGBT與1個FWD)，6個用于三相整流的整流二極管；額外的，還可能包括溫度檢測NTC和保護電路的取樣電阻。7in1中的7表示模塊中包含7個IGBT管芯，1表示多個管芯裝配到了—模塊外殼中。
選擇和使用
?、僬堅诋a品的額定值(電壓、電流、溫度等)范圍內使用，一旦超出額定值，可能損壞產品，特別是IGBT外加超出VCES的電壓時可能發(fā)生雪崩擊穿現(xiàn)象從而使元件損壞，請務必在VCES的額定值范圍內使用!工作使用頻率愈高,工作電流愈小;源于可靠性的原因，必須考慮安全系數(shù)。
?、隍寗与娐罚河捎贗GBTVce(sat)和短路耐量之間的折衷關系，建議將柵極電壓選為+VGE=14～15V，-VGE=5～10V，要確保在模塊的驅動端子上的驅動電壓和波形達到驅動要求;柵極電阻Rg與IGBT的開通和關斷特性密切相關，減小Rg值開關損耗減少，下降時間減少，關斷脈沖電壓增加;反之，柵極電阻Rg值增加時，會增加開關損耗，影響開關頻率;應根據浪涌電壓和開關損耗間折衷(與頻率有關)選擇合適的Rg值，一般選為5Ω至100Ω之間。為防止柵極開路，建議靠近柵極與發(fā)射極間并聯(lián)10K～20KΩ電阻。驅動布線要盡量短且采用雙絞線;在電源投入時請先投入驅動控制部分的電源，使其驅動電路工作后再投入主電路電源。
③保護電路：富士IGBT-PIM模塊使用在高頻時布線電感容易產生尖峰電壓，必須注意減少布線電感和元件的配置，應注意以下保護項目：過電流保護、過電壓保護、柵極過壓及欠壓保護、安全工作區(qū)、過溫保護。
④吸收電路：由于IGBT開關速度快，容易產生浪涌電壓，必須設有浪涌鉗位電路。
?、莶⒙?lián)使用：應考慮柵極電路、線路布線、電流不平衡和器件之間的溫度不平衡等問題，選用正溫度系數(shù)，飽和壓降在同一個等級(同一批次)。
?、奘褂脮r請避開產生腐蝕氣體和嚴重塵埃的場所。
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更新時間：2020-05-27 
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