可控硅模塊在控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，它能夠起到對電力能量大小進(jìn)行調(diào)整與變換的作用，在工業(yè)、通訊等場合作用極大。
可控硅模塊的主要參數(shù)：
1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值。
3、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個(gè)參數(shù)值。
4、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流。
5、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極--陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的zui小控制極電流和電壓。
可控硅模塊六大使用注意事項(xiàng)：
1、線路中必須要設(shè)有過壓過流保護(hù)措施，串并聯(lián)使用時(shí)也必須要有均流措施。
2、如果使用萬用表來判斷器件是否損壞，則門陰間電阻，要有十幾或者幾十歐姆，否則門極很容易短路或者斷路，陰陽極間的電阻，也要大于1MΩ，電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良，電阻接近零時(shí)則表明器件已擊穿，發(fā)現(xiàn)有斷路或者短路現(xiàn)象時(shí)，則要立即更換。
3、嚴(yán)禁使用兆歐表來檢查元件的絕緣情況。
4、對于電流為以上的可控硅模塊就要安裝散熱器，并且其冷卻條件要滿足相關(guān)規(guī)定。
5、按照相關(guān)規(guī)定對主電路中的可控硅模塊采用過壓以及過流保護(hù)裝置。
6、要防止出現(xiàn)可控硅模塊控制極的正向過載以及反向擊穿現(xiàn)象。
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更新時(shí)間：2019-06-24 
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