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三菱IPM模塊PM10CMA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，

三菱IPM模塊PM30CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，

三菱IPM模塊PM20CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，

三菱IPM模塊PM15CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，

三菱IPM模塊PM10CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，

西門康IPM智能功率模塊SKiiP603GD123-3DUW，集成了驅動器和散熱器的IGBT模塊，適用于功率高達2.1MW的變流器 / 采用燒結技術，可靠性Z高 / 應用領域包括風能和太陽能發(fā)電系統(tǒng)及鐵路應用 / 服務成本更低

西門康IPM智能功率模塊SKiiP603GD123-3DUL，集成了驅動器和散熱器的IGBT模塊，適用于功率高達2.1MW的變流器 / 采用燒結技術，可靠性Z高 / 應用領域包括風能和太陽能發(fā)電系統(tǒng)及鐵路應用 / 服務成本更低

西門康IPM智能功率模塊SKiiP1513GB172-3DW，集成了驅動器和散熱器的IGBT模塊，適用于功率高達2.1MW的變流器 / 采用燒結技術，可靠性Z高 / 應用領域包括風能和太陽能發(fā)電系統(tǒng)及鐵路應用 / 服務成本更低