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可關(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）具有高電壓、大電流、自關(guān)斷及快速性等特點(diǎn)，它主要用于高電壓大功率的斬波器、逆變器及其他電路中，保留了普通晶閘管耐壓高、電流大的優(yōu)點(diǎn)，又具有可自行關(guān)斷的特點(diǎn)，給使用帶來很大方便，是一種理想的高壓大電流開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于斬波器、逆變器、電子開關(guān)、恒壓調(diào)頻裝置及電力系統(tǒng)中?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNP四層三端結(jié)構(gòu)，其等效電路與普通晶閘管相同。主要特點(diǎn)為，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。其容量及使用壽命均超過電力晶...

ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)是現(xiàn)代運(yùn)動(dòng)控制的重要組成部分，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器人及數(shù)控加工中心等自動(dòng)化設(shè)備中。尤其是應(yīng)用于控制交流永磁同步電機(jī)的伺服驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)外研究熱點(diǎn)。當(dāng)前交流伺服驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)中普遍采用基于矢量控制的電流、速度、位置3閉環(huán)控制算法。該算法中速度閉環(huán)設(shè)計(jì)合理與否，對(duì)于整個(gè)伺服控制系統(tǒng)，特別是速度控制性能的發(fā)揮起到關(guān)鍵作用。在ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)速度閉環(huán)中，電機(jī)轉(zhuǎn)子實(shí)時(shí)速度測(cè)量精度對(duì)于改善速度環(huán)的轉(zhuǎn)速控制動(dòng)靜態(tài)特性至關(guān)重要。為尋求測(cè)量精度與系統(tǒng)成本的平衡，一般...

可控硅模塊在控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，它能夠起到對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整與變換的作用，在工業(yè)、通訊等場(chǎng)合作用極大?？煽毓枘K的主要參數(shù)：1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。3、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)，陽極正向...

所謂熔斷器，根據(jù)這么名字也能明白個(gè)一二，即熔化、斷開的器件。其作用原理非常簡(jiǎn)單：我們知道，當(dāng)電路如果發(fā)生短路時(shí)瞬間的電流會(huì)非常高，同時(shí)會(huì)使導(dǎo)電線發(fā)熱。如果電路中沒有熔斷器來保護(hù)，那么很可能就燒壞用電設(shè)備了。為了保護(hù)用電設(shè)備不會(huì)被偶然短路而燒壞，人們發(fā)明了熔斷器并將其串聯(lián)接入電路中，其關(guān)鍵部分就是熔點(diǎn)較低的特殊金屬導(dǎo)線或?qū)щ娖?，?dāng)發(fā)生短路、過載等產(chǎn)生的大電流會(huì)時(shí)熔斷器的導(dǎo)電部分升溫、達(dá)到熔點(diǎn)熔化、斷開而失去鏈接切斷了電流。從而保護(hù)了用電設(shè)備。保險(xiǎn)絲大保險(xiǎn)管家應(yīng)該聽說過，那便是熔...

ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復(fù)合器件，既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。為了讓IGBT安全、可靠地工作，其柵極應(yīng)連接與之匹配的驅(qū)動(dòng)電路。IGBT驅(qū)動(dòng)的兩個(gè)功能，實(shí)現(xiàn)控制電路與...

北京晶閘管供應(yīng)在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。當(dāng)北京晶閘管供應(yīng)承受正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。每個(gè)北京晶閘管供應(yīng)的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。北京晶閘管供應(yīng)的作用之二就是可控整流，這也是可控...

北京晶閘管供應(yīng)是一種開關(guān)元件，顧名思義他的名字里面有一個(gè)閘字也就是門，開關(guān)的意思，他廣泛的應(yīng)用在各種電路，以及電子設(shè)備中。這里介紹一下北京晶閘管供應(yīng)的作用以及原理。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設(shè)備，他通過一個(gè)電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)此時(shí)他的電阻變得很小相當(dāng)于一跟導(dǎo)線。北京晶閘管供應(yīng)又叫可控硅。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它主要有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，...

IGBT逆變模塊廠家的設(shè)備的核心部分逆變器由大功率IGBT半橋組成。由鎖相環(huán)控制工作頻率，自動(dòng)跟蹤爐體固有頻率及其它參數(shù)的變化，保持IGBT工作在零電壓開關(guān)狀態(tài)，損耗小，安全區(qū)大。由PWM電路控制輸出功率，由功率檢測(cè)電路組成閉環(huán)控制，本設(shè)備輸出電容與爐體構(gòu)成串聯(lián)形式，而不象一般晶閘管逆變采用并聯(lián)方式。這是由于：串聯(lián)結(jié)構(gòu)更適應(yīng)IGBT的電壓型逆變；爐體引線長(zhǎng)短只改變工作頻率而較少影響效率；更適合電容器的內(nèi)置。當(dāng)然，串聯(lián)結(jié)構(gòu)在空爐時(shí)由于Q值很高會(huì)產(chǎn)生很高的電壓，IGBT逆變模塊廠...

北京晶閘管供應(yīng)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；可控硅，是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，北京晶閘管供應(yīng)是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。北京晶閘管供應(yīng)被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點(diǎn)開關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)機(jī)、電視機(jī)、電冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、組合音響、聲光電路、定時(shí)控制器、玩具裝置、無線電遙控、...

北京晶閘管供應(yīng)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅;1957年美國(guó)通用電氣公司開發(fā)出世界上*款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極:陽極，陰極和門極;北京晶閘管供應(yīng)具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。北京晶閘管供應(yīng)按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導(dǎo)晶閘管...

日立電容廠家供應(yīng)的電容，電容器的簡(jiǎn)稱，是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路、能量轉(zhuǎn)換、控制電路等方面。電容（Capacitance）亦稱作“電容量”，是指在給定電位差下的電荷儲(chǔ)藏量，記為C，單位是法拉（F）。一般來說，電荷在電場(chǎng)中會(huì)受力而移動(dòng)，當(dāng)導(dǎo)體之間有了介質(zhì)，則阻礙了電荷移動(dòng)而使得電荷累積在導(dǎo)體上，造成電荷的累積儲(chǔ)存，儲(chǔ)存的電荷量則稱為電容。因電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，所以廣泛應(yīng)用于隔直、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路、...

西門子快速熔斷器為變頻器及軟起動(dòng)器中的電源類半導(dǎo)體器件提供了*保護(hù)?？紤]到半導(dǎo)體組件電容的低熱效能，它們能夠迅速分?jǐn)?，沒有其它的保護(hù)設(shè)備能夠如此可靠地分?jǐn)喽搪冯娏鳌Ｎ鏖T子快速熔斷器對(duì)熔體電流密度和溫度的限制，比那些用于保護(hù)電纜和導(dǎo)體的傳統(tǒng)的低壓熔斷器的限制要高很多。這就是說熔斷器一直處于預(yù)備狀態(tài)。這就保證了當(dāng)出現(xiàn)故障時(shí)熔斷器可以做出*反應(yīng)。由于其特殊構(gòu)造的限制，3NE半導(dǎo)體保護(hù)型熔斷器還可以用于循環(huán)電路，而不必降低額定電流。由于它們的高循環(huán)電路容量和額定負(fù)載，而提供了zui低...

西門康IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來越多見。西門康IGBT模塊的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反...

諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問題和故障模式進(jìn)行了探討。各種工業(yè)應(yīng)用中通常會(huì)使用多達(dá)十幾種的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），設(shè)計(jì)IGBT模塊的目的就是為了向某種專門的應(yīng)用提供*的性價(jià)比和適當(dāng)?shù)目煽啃?。圖1為現(xiàn)有的IGBT功率模塊的主要組成部分。商用電動(dòng)車（EV）和混合動(dòng)力電動(dòng)車...

斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù)，其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導(dǎo)體器件，它是由MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與GTR（大功率達(dá)林頓晶體管）結(jié)合，并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng)，因此具有：驅(qū)動(dòng)功率小，通態(tài)壓降低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，目前已廣泛應(yīng)用于變頻調(diào)速、開關(guān)電源等電力電...

高壓可控硅軟起動(dòng)器是一種集軟起動(dòng)和多種保護(hù)功能于一體的新型高壓電機(jī)軟起動(dòng)裝置。它不僅僅能在整個(gè)的起動(dòng)過程中平滑地起動(dòng)電機(jī)，而且可以根據(jù)電動(dòng)機(jī)的負(fù)載的特性來調(diào)節(jié)起動(dòng)過程中的參數(shù)，并且它的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、工作可靠，因此在各個(gè)生產(chǎn)領(lǐng)域中得到了越來越廣泛的應(yīng)用。在高壓可控硅軟起動(dòng)裝置中，如果選取額定電流太大的高壓可控硅，則沒有充分利用高壓可控硅的性能，并且裝置成本太高；如果選取額定電流太小的高壓可控硅，則裝置運(yùn)行不可靠，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒毀高壓可控硅。因此，高壓可控硅額定電流的選擇非常關(guān)...

可控硅勵(lì)磁裝置失控的原因是非常多的，經(jīng)常進(jìn)行維護(hù)是減少問題出現(xiàn)的方法，平時(shí)的時(shí)候一定要對(duì)電站進(jìn)行定期的檢查，同時(shí)為了避免設(shè)備失控采取有效地方法，下面就為大家詳細(xì)的介紹一下預(yù)防可控硅元件失控的方法是什么？主要有下面五個(gè)方面。①三相觸發(fā)器輸出脈沖寬度、幅值以及相位正常，要是直流輸出波形三相不對(duì)稱的話，可調(diào)整觸發(fā)器脈沖相位來實(shí)現(xiàn)。②要是更換續(xù)流管的話，續(xù)流管的管壓降越好越好，是不超過0.5V。③觸發(fā)極的引線要經(jīng)常的保持完好，避免截?cái)鄬?dǎo)致丟脈沖。④定期的使用示波器查看可控橋的直流輸出...

北京英飛凌IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合器件。英飛凌IGBT模塊將MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動(dòng)型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、大電流的優(yōu)點(diǎn)。因此，IGBT的新技術(shù)、新工藝不斷有新的突破；應(yīng)用頻率硬開關(guān)5KHz～40KHz，軟開關(guān)40KHz～150KHz；功率從五千瓦到幾百千瓦的應(yīng)用場(chǎng)合。IGBT器件將不斷開拓新的...

西門子SinamicsV20變頻器新增全新E尺寸模塊，其zui大功率為30kW;E尺寸模塊具有重過載和輕過載的雙重模式，可以實(shí)現(xiàn)小功率變頻器驅(qū)動(dòng)動(dòng)大電機(jī)，有效降低采購成本；E尺寸模塊適用于風(fēng)機(jī)、水泵、壓縮機(jī)、輸送設(shè)備、攪拌機(jī)、石材切割等大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。今天，西門子在“2014中國(guó)工業(yè)博覽會(huì)”現(xiàn)場(chǎng)發(fā)布了SinamicsV20變頻器全新E尺寸模塊。該模塊的zui大功率可達(dá)30kW，適用于風(fēng)機(jī)、水泵、壓縮機(jī)、輸送設(shè)備、攪拌機(jī)、石材切割等大功率應(yīng)用場(chǎng)合，并具有重過載和輕過載的雙重模...